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该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4.3毫欧，最大栅源电压（VGS）为20V。其低导通电阻有效降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。器件适用于高频开关电源、负载开关及电池供电系统等对效率和功率密度有较高要求的应用场景。
