-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为6.5毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体效率，适用于高频率开关和大电流传输的场合。器件在电源转换、电机控制及各类直流开关电路中可提供稳定的性能表现，适合对能效与热管理有较高要求的应用环境。