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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为3.9A，导通电阻（RDS(on)）为1555mΩ。栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V，支持标准驱动电平并具备良好的抗过驱能力。器件基于碳化硅材料构建，在高频开关条件下可维持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、适配器及对体积和热管理有严格要求的电子系统。
