-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具备20A的漏极电流能力，漏源耐压达650V，导通电阻为160mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。其采用碳化硅材料，具有高击穿电场强度和优异的高频开关特性，适用于对效率、体积和热性能有较高要求的电源系统。较低的导通电阻有助于降低导通损耗，而宽栅压范围则增强了与不同驱动电路的兼容性，在高功率密度设计中展现出良好的适应性。