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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为15A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与高开关速度特性，适用于高频高效电源转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时有助于优化系统效率与热管理。