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该N沟道碳化硅MOSFET具备7.1A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻为410mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温特性和开关性能，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于高频电源、可再生能源转换及高可靠性供电架构中。