-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），以及5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统效率，同时支持大电流持续工作。适用于高功率密度的电源模块、电池管理系统及各类对能效和热性能要求较高的电子设备中，可实现高效、可靠的开关控制功能。
