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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、9.3A的连续漏极电流（ID）和410mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备高耐压能力与较低导通损耗，在高频开关条件下仍能保持良好性能，适用于对效率、热管理和空间布局有较高要求的电源转换及能量处理系统。
