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该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为80A，漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(on)）低至4.7毫欧，栅源电压（VGS）最大额定值为20V。凭借极低的导通电阻和高电流承载能力，该器件在大电流工作状态下可有效降低导通损耗，适用于高效率电源转换、电机控制及各类需要高功率密度的电子系统中，能够支持高频开关操作并保持良好的热性能与电气稳定性。
