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该N沟道MOSFET具有50A的漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为6.5毫欧，栅源电压（VGS）额定值达20V。低导通电阻有助于在高电流工作条件下减少功率损耗与温升，适合用于对效率和热管理要求较高的开关电源、电机驱动及各类直流功率转换电路中，能够支持高频操作并维持良好的电气稳定性。
