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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为900V，连续漏极电流（ID）为11A，导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高频开关特性和较低的导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统，如高频开关电源、光伏逆变器及高密度电力电子装置等应用场合。