-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有11A的漏极电流能力，最大漏源电压为900V，导通电阻为712mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料构建，具备较高的击穿电压与较低的导通损耗，在高频开关条件下表现出良好的动态特性。适用于对效率、热管理和开关速度有较高要求的电源转换与功率控制场合，可有效支持紧凑型高功率密度电路设计。