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该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的连续漏极电流能力，最大漏源电压达900V，导通电阻为712mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温性能和开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其高耐压与低导通损耗特性，使其在高频运行条件下仍能保持较低的热应力，适合用于各类高效电力电子系统中的开关应用。