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该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为9A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为306mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，该器件在高频开关应用中展现出优异的效率与热稳定性，适用于高功率密度电源、光伏逆变系统、不间断电源以及各类高效电能转换设备。