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该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.8毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。适用于高电流、高效率要求的电源转换、电机驱动及各类电子系统中的开关应用，能够在紧凑布局中维持良好的热性能与可靠性。
