-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有125A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至2.4毫欧。极低的导通电阻有效减小了导通损耗，在大电流工作条件下仍能维持较高的能效和较低的温升。适用于高功率密度的开关电源、高效DC-DC转换模块、电池充放电控制以及大电流电子负载等应用，能够满足对热性能与电气性能要求严苛的电路设计需求。
