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该N沟道MOSFET的额定漏极电流（ID）为5A，最大漏源电压（VDSS）达500V，导通电阻（RDS(ON)）为1300mΩ。其电气参数表明该器件适用于中等功率的开关应用，在较高电压条件下仍能维持稳定工作。由于具备标准N沟道结构和明确的导通特性，可被用于电源转换、负载控制以及各类电子系统中的开关功能模块，适合对电压耐受能力和通态损耗有特定要求的电路设计。
