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该N沟道碳化硅MOSFET具有20A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至160mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关操作中展现出优异的效率和热性能，适用于对功率密度和能效要求较高的电源转换系统，如高效适配器、服务器电源及可再生能源相关设备。