-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧，适用于中高电流开关应用。在栅源电压范围内可实现高效导通，有效降低功率损耗。其电气特性适合用于电源转换、电池管理系统、电机控制及各类需要高效率与紧凑布局的电子设备中，能够支持快速开关操作并维持良好的热稳定性。
