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该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为500V，连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。器件在高电压条件下具备稳定的开关性能，适用于对耐压能力有一定要求的电源转换与控制电路。其参数组合适合用于开关电源、LED驱动、适配器以及各类消费电子产品中的功率开关应用，能够在保证安全工作的同时有效管理导通损耗与热效应。
