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该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至5毫欧。其低RDS(on)有助于显著降低导通损耗，在大电流工作条件下维持较高的能效和较低的温升。适用于高功率密度的电源转换系统、高效电机驱动以及对热性能和空间布局有严格要求的电子设备中。