-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流ID为20A，漏源电压VDSS为800V，导通电阻RDS(ON)为165mΩ，栅源电压VGS范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压应用中表现出较低的导通损耗和良好的热稳定性。其结构支持高频开关操作，适用于对效率、体积和散热有较高要求的电源系统，宽栅压范围也提升了与不同驱动电路的兼容性。