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该N沟道碳化硅MOSFET具有20A的漏极电流能力，漏源击穿电压VDSS为800V，导通电阻RDS(ON)为165mΩ，栅源电压VGS工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温稳定性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其较宽的栅极驱动电压范围有助于提升驱动电路的适应性，并在持续高负载条件下维持稳定的开关特性。