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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V，支持宽范围驱动条件并具备良好的栅极可靠性。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关过程中表现出较低的开关损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对体积与能效有较高要求的电力电子设备中。