-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为5.1A，导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。栅源驱动电压（VGS）范围为-8V至@0V，确保器件在多种驱动条件下可靠开关。凭借碳化硅材料的特性，该器件在高频工作时表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换系统，如通信设备电源、光伏逆变器及高密度开关电源等场合。