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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为5.1A，导通电阻（RDS(ON)）为820mΩ，栅源驱动电压范围（VGS）为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备较高的耐压能力和良好的开关特性，适用于高效率电源转换、开关电源、光伏逆变器及高频电力电子系统等场景，在提升系统功率密度和降低损耗方面具有优势。