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该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。其碳化硅材料特性支持高频开关操作，在高效率电源转换、服务器电源、光伏逆变及储能系统等应用中可显著降低导通与开关损耗，同时提升系统功率密度与热管理性能。