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该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。其栅源电压（VGS）范围为-8V至@0V，适用于多种驱动电路配置，并具备良好的抗误触发能力。得益于碳化硅材料的物理特性，该器件在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗，适合用于高效率、高功率密度的电源系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能转换设备等场景。
