-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5.7毫欧，适用于对效率和热性能要求较高的功率开关场景。在栅极驱动电压适配范围内，器件可实现快速开关响应与较低的导通损耗，适合用于电源转换、电机驱动及高密度功率模块等应用。其电气特性有助于维持系统稳定运行并提升整体能效表现。