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该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为15A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件基于碳化硅工艺，在高频工作条件下展现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热导性能和稳定性。适用于高效率电源、服务器供电系统、储能装置及高频逆变器等对功率密度和能效有较高要求的应用场合。