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该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有效降低导通损耗，提升能效表现，适用于对电流承载能力和热性能要求较高的功率转换场合。其电气特性支持在高频开关条件下稳定运行，适合用于高密度电源模块、便携式设备供电系统及其它需要高效功率管理的电子装置中。
