-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有13A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高电压应用中表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。其N沟道结构配合宽栅压范围，便于与多种驱动电路兼容，适用于对效率、体积和温升有较高要求的电源转换与高频开关场合。