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该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID为31A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温工作能力，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统整体能效，同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。