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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻典型值为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料构建，具备优异的高温稳定性和开关特性，在高频电源转换、高效率功率调节及紧凑型电力电子系统中可实现低损耗运行。其电气参数组合适合对体积与能效有较高要求的应用场景。