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该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流（ID），漏源击穿电压（VDSS）为650V，导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与高耐压能力，适用于高频、高效率的电源转换场合。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时在高温或高功率条件下仍能维持稳定电气特性，适合用于对体积和能效有较高要求的电力电子系统。