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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为70A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与高热导率特性，在高频开关应用中可显著降低导通和开关损耗。适用于对效率、功率密度及热管理有较高要求的电源系统，如服务器电源、光伏逆变器及高频DC-DC转换器等场景。