-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流ID为70A，漏源电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为44mΩ，栅源驱动电压范围VGS为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频开关性能和较低的导通损耗，在高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电源模块中具有良好的适用性。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的兼容性与可靠性。