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该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻典型值为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与低导通损耗特性，器件在高频开关应用中表现出色，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备，能够在提升系统响应速度的同时有效控制温升与能量损耗。