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该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置以及对热性能要求较高的电力电子设备。其宽栅压范围有助于提升驱动兼容性，并在高温环境中维持稳定的电气特性。