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该N沟道碳化硅MOSFET具备63A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压以及58mΩ的导通电阻，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料优势，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，同时具有良好的热导性能和稳定性，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及对功率密度要求较高的电力电子应用场合。