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该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流ID为99A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件凭借低导通电阻和高耐压能力，适用于高效率、高开关频率的电力电子系统，如数据中心电源、通信设备供电模块及太阳能逆变装置，在高频运行条件下可有效降低损耗并提升系统整体能效。