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该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流（ID）和750V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至20mΩ，适用于高效率、高频率的功率转换场景。其栅源电压范围为-10V至@5V，具备良好的驱动兼容性与可靠性。器件利用碳化硅材料特性，在高温和高压条件下仍能保持稳定性能，适合用于对体积、效率及热管理有较高要求的电力电子系统中。
