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该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和26mΩ的导通电阻，栅源电压范围为-10V至@5V。其采用碳化硅材料，具有优异的高频开关性能和热稳定性，在高效率电源系统、可再生能源并网设备及高频电力转换装置中可有效降低导通与开关损耗。宽栅压范围增强了驱动适应性，有助于提升系统在复杂电气环境中的可靠性与运行效率。