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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达36A，导通电阻（RDS(ON)）为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高效率特性，适用于高频、高功率密度的电源转换系统。其宽栅压范围增强了驱动电路的适配能力，同时在高温或高电压工作条件下仍能保持稳定性能。