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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为20A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为160mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高工作结温特性，适用于高频开关电源、光伏逆变系统、不间断电源及各类高效电能转换场合。其电气参数支持在严苛电路条件下稳定运行，同时有助于提升系统整体效率与功率密度。