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该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频工作条件下展现出较低的开关与导通损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源并网系统以及对热管理要求较高的电力电子应用。宽VGS范围增强了与多种驱动电路的兼容性。