-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为36A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频开关特性与低导通损耗，在高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子装置中具有良好的适用性。其宽栅压范围有助于提升驱动兼容性，同时在高电压应力下保持稳定工作性能。