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该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场和高热导率特性，在高频开关应用中可显著降低导通与开关损耗。适用于对效率、体积和散热性能有较高要求的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及高密度电力变换模块。