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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为84A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻典型值为26mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及大功率充电设备等场合，在提升系统效率的同时有助于减小整体体积与散热需求。