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该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为75mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中展现出优异的效率与热稳定性，适用于高功率密度电源、可再生能源转换系统以及对体积和能效有严格要求的电力电子装置。